2022-2027年中国DRAM存储器市场发展潜力与投资分析报告

报告编号：545780中国市场研究网www.hjbaogao.com.cn2022-11-29 11:45:31

【报告名称:】2022-2027年中国DRAM存储器市场发展潜力与投资分析报告
【报告格式:】纸质版/电子版
【交付方式:】特快专递/E-mail
【中文版价格:】纸质版：7600元电子版：7800元纸质＋电子版:8000元
【联系电话:】16619987910(微信同号)
【联系人:】龙经理
【绿色通道】尊敬的客户，如果该报告目录不能满足你的需要，请您跟我们的客服及时联系，我们会根据您的需要做出调整，以满足你的需求。当您定购该报告之后，公司会进行市场最新的内容更新，确保信息与市场同步。

更多报告：: DRAM存储器市场研究 DRAM存储器市场调查 DRAM存储器前景预测 DRAM存储器市场分析 DRAM存储器市场评估 DRAM存储器投资咨询 DRAM存储器供需分析 DRAM存储器重点企业 DRAM存储器可行性研究 DRAM存储器十四五规划 DRAM存储器发展前景 DRAM存储器投资规划 DRAM存储器深度研究 DRAM存储器投资前景 DRAM存储器项目调研 DRAM存储器专项调研 DRAM存储器市场调研 DRAM存储器市场竞争

报告摘要
报告目录
常见问题
订购流程

数据存储可分为光存储、磁存储与半导体存储。若按照信息保存的角度来分类，可以分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片在所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品有DRAM和SRAM；非易失性存储芯片在所在电路断电后，仍保有数据，代表性产品为NAND Flash和NOR Flash。

就全球存储芯片定位而言，2021年DRAM占比全球储存市场61%的市场份额。主要原因是DRAM属于易失存储器，多用与cpu缓存和图像系统的帧缓存区，起到临时储存数据的功能，如遇断电则数据则会丢失信息，更大的缓存空间代表同时可处理和储存的数据更多，属与电子设备必须的组成部分。

易失性存储器在断电状态下数据会丢失，包括动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）。SRAM的读写速度在所有的存储器中最快，因制造成本高昂，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如CPU的一级、二级缓存等。DRAM利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比SRAM慢，但快于所有的只读存储器（ROM），且集成度高、功耗低、体积小，制造成本低，常用于容量较大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器的内存等。

DRAM三巨头具备先发优势，目前产品最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代（DDR5），制程方面，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。整体来看，国产企业长鑫仍存在一定差距。